Los circuitos integrados de circuito integrado MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NO Flash

Los circuitos integrados de circuito integrado MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NO Flash

Descripción del producto:

El dispositivo es un asíncrono, uniforme de bloque, paralelo NOR dispositivo de memoria flash.el dispositivo es predeterminado para leer el modo de matrizLa matriz de memoria principal se divide en bloques uniformes que pueden borrarse independientemente para que los datos válidos puedan preservarse mientras se eliminan los datos antiguos.Los comandos PROGRAM y ERASE se escriben en la interfaz de comandos de la memoriaUn controlador de programación/borrado en el chip simplifica el proceso de programación o borrado de la memoria al hacerse cargo de todas las operaciones especiales necesarias para actualizar el contenido de la memoria.Se puede detectar el final de una operación de PROGRAMA o ERASE y se puede identificar cualquier condición de error. El conjunto de comandos requerido para controlar el dispositivo es compatible con los estándares JEDEC. CE#, OE# y WE# controlan el funcionamiento del bus del dispositivo y permiten una conexión simple a la mayoría de los microprocesadores,a menudo sin lógica adicionalEl dispositivo admite lectura aleatoria asíncrona y lectura de páginas de todos los bloques de la matriz.También cuenta con un búfer de programa interno que mejora el rendimiento mediante la programación de 512 palabras a través de una secuencia de comandos. Un bloque de memoria extendida de 128 palabras se superpone a las direcciones con el bloque de matriz 0. Los usuarios pueden programar este espacio adicional y luego protegerlo para asegurar permanentemente el contenido.El dispositivo también cuenta con diferentes niveles de protección de hardware y software para proteger los bloques de modificaciones no deseadas.

Características:

• Tecnología de célula de nivel único (SLC) • Densidad: 512 Mb • Voltado de suministro VCC = 2.7 3.6V (programa, borrado, lectura) VCCQ = 1.65 - VCC (buffers de E / S) • Lectura aleatoria / página asíncrona Tamaño de página:16 palabras o 32 bytes ️ Acceso a la página: 20ns ¢ Acceso aleatorio: 95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V) ¢ Acceso aleatorio: 100ns (VCCQ = 1.65-VCC) • Programa de búfer (buffer de programa de 512 palabras) ¢ 2.0 MB/s (TYP) cuando se utiliza el programa de búfer completo ¢ 2.5 MB/s (TYP) cuando se utiliza el programa de búfer acelerado (VHH) • Programa Word/Byte: 25us por palabra (TYP) • Borrado de bloques (128KB): 0.2s (TYP) • Organización de la memoria 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass, bloquear borrar, borrar el chip, y escribir a la capacidad de búfer

Cuadro de parámetros:

Preguntas frecuentes:

• ¿Cuál es su MOQ?

No se necesita MOQ, y si compra más, disfrutará de mejores precios.

• ¿Puedo obtener una muestra gratis?

Puede pedirle a nuestro personal muestras gratuitas.

• ¿Qué métodos de pago admite?

Proporcionamos: Visa/MasterCard/Transferencia bancaria/WU/MG/PayPal, etc.

• ¿Qué hay de los métodos de envío?

Proporcionamos:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket, etc.

• ¿Cómo se garantiza la calidad?

Período de garantía de calidad: 12 meses.

• ¿Se prueban los productos antes del envío?

Todos los productos fueron probados antes del envío y los problemas de calidad fueron insignificantes.

• ¿Provee servicios de BOM?

Sí, proporcionamos un servicio de compra de una sola parada, por favor envíenos su lista de Bom