Les circuits intégrés de mémoire MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Type de mémoire:: | Volatil |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie :: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Type de mémoire:: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire :: | Volatil |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie :: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire :: | - |
| Actions d'usine :: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | - |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire :: | - |
| Le stock de l'usine:: | 0 |
| Écrire le temps de cycle - mot, page:: | - |
| Technologie:: | SDRAM |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Type de mémoire:: | Volatilité |
| Type d'installation:: | Monture de surface |
| Format de mémoire:: | Le drame |
| Le paquet:: | BGA |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Mémoire IC |
| Fabricant:: | Technologie des microns |
| Le paquet:: | BGA |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés mémoire |
| Fabricant:: | Technologie de micron |
| Emballage:: | & de bande ; Bobine (TR) |
|---|---|
| Catégorie de produit:: | DRAM |
| Courant d'approvisionnement - maximum :: | 110 mA |
| Organisation :: | 512 M X 16 |
| Tension d'alimentation - Max :: | 1,26 V |
| Le paquet:: | BGA |
|---|---|
| Emballage:: | & de bande ; Bobine (TR) |
| Catégorie de produit:: | Circuits intégrés à semi-conducteurs - circuits intégrés |
| RoHS:: | Disponible vert de 100% |
| Fabricant:: | Technologie des microns |
