Интегрированные схемы памяти MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технологии :: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технологии :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технологии :: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | - |
| Запас фабрики:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | - |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | - |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | SDRAM |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Неустойчивость |
| Тип установки:: | Поверхностный монтаж |
| Формат памяти:: | ДРАМА |
| Пакет:: | BGA |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Память ICs |
| Производитель:: | Технология микронов |
| Пакет:: | BGA |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Производитель:: | Технология микрона |
| Упаковка:: | & ленты; Вьюрок (TR) |
|---|---|
| Категория продуктов:: | DRAM |
| Течение поставки - Макс:: | 110 мам |
| Организация:: | 512 m x 16 |
| Подача напряжения - Макс:: | 1,26 v |
| Пакет:: | BGA |
|---|---|
| Упаковка:: | & ленты; Вьюрок (TR) |
| Категория продуктов:: | Полупроводниковые интегральные схемы - интегральные интегралы |
| RoHS:: | Доступное 100% зеленое |
| Производитель:: | Технология микронов |
