メモリ統合回路 MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | 記憶IC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | 記憶IC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | 記憶IC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | 記憶IC |
| メモリタイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| 技術:: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | 記憶IC |
| メモリタイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| 技術:: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| 記憶タイプ:: | 揮発 |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| テクノロジー: | - |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | メモリIC |
| 記憶タイプ:: | - |
| 工場のストック:: | 0 |
| サイクルの時間 - Word,ページを書き:: | - |
| パッケージ:: | テープ&巻き枠（TR） |
|---|---|
| 製品カテゴリー:: | DRAM |
| 最高供給の流れ-:: | 110 mA |
| 構成:: | 512のM X 16 |
| 最高供給電圧-:: | 1.26 V |
| パッケージ:: | BGA |
|---|---|
| パッケージ:: | テープ&巻き枠（TR） |
| 製品カテゴリー:: | 半導体集積回路 - IC |
| RoHS について: | 100%の緑の利用できる |
| メーカー:: | マイクロン技術 |
