เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ความผันผวน |
| ประเภทการติดตั้ง :: | การติดตั้งพื้นผิว |
| รูปแบบหน่วยความจำ :: | ละคร |
| บรรจุุภัณฑ์ :: | บช.น |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ผู้ผลิต :: | เทคโนโลยีไมครอน |
| บรรจุุภัณฑ์ :: | บช.น |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ผู้ผลิต :: | เทคโนโลยีไมครอน |
| บรรจุภัณฑ์ :: | เทป & รีล (TR) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | แรม |
| อุปทานปัจจุบัน - สูงสุด :: | 110 ม.ม |
| องค์กร :: | 512 ม. x 16 |
| แรงดันไฟเลี้ยง - สูงสุด :: | 1.26 โวลต์ |
| บรรจุุภัณฑ์ :: | บช.น |
|---|---|
| บรรจุภัณฑ์ :: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภทสินค้า :: | เซมิคอนดักเตอร์-วงจรรวม - ไอซี |
| เป็นไปตามมาตรฐาน :: | มีสีเขียว 100% |
| ผู้ผลิต :: | เทคโนโลยีไมครอน |
