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Produktdetails:
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| Herkunftsort: | USA |
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| Markenname: | Infineon |
| Modellnummer: | IPB018N10N5ATMA1 |
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Zahlung und Versand AGB:
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| Min Bestellmenge: | 50pcs |
| Preis: | RFQ |
| Verpackung Informationen: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Lieferzeit: | Sofort |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Übertragungsurkunde, Paypal, Visum, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | RFQ |
Diskrete Halbleiter IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET
Beschreibung des Produkts:
MOSFET
OptiMOSTM5Power-Transistor, 100 V
Eigenschaften:
• Ideal für Hochfrequenzschaltungen und Synchronisierungen.
•N-Kanal, normale Ebene
•Optimiert für FOMOSS
•Verylowon-ResistanceRDS eingeschaltet
•175°Kooperationstemperatur
•Pb-freie Bleiplatzierung;RoHS-konform
• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21
Tabelle der Parameter:
| roduct Attribut | Attributivwert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | - Ja, das ist es. |
| Reihe: | IPB018N10 |
| Verpackung: | Spirale |
| Verpackung: | Schnittband |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Typ der Ware: | MOSFET |
| Fabrikverpackung Menge: | 1000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
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