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제품 상세 정보:
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| 원래 장소: | 미국 |
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| 브랜드 이름: | Infineon |
| 모델 번호: | IPB018N10N5ATMA1 |
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결제 및 배송 조건:
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| 최소 주문 수량: | 50 PC |
| 가격: | RFQ |
| 포장 세부 사항: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 배달 시간: | 바로 |
| 지불 조건: | 웨스턴 유니온, 에스크로, 페이팔, 비자, 머니그램인 전신환 |
| 공급 능력: | 가격 요구 |
디스크리트 반도체 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET
제품 설명:
MOSFET
OptiMOSTM5전력 트랜지스터,100V
특징:
•고주파 전환 및 동기화에 이상적입니다.
•N 채널,정상적인 수준
•FOMOSS에 최적화
•RDS가 작동합니다.
•175° 협력 온도
•Pb-free leadplating;RoHS를 준수합니다.
•IEC 61249-2-21에 따라 하로겐 자유
매개 변수 테이블:
| roduct 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 인피니온 |
| 제품 카테고리 | MOSFET |
| RoHS: | 네 |
| 시리즈: | IPB018N10 |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 브랜드: | 인피니온 테크놀로지 |
| 제품 종류: | MOSFET |
| 공장 포장량: | 1000 |
| 하위 분류: | MOSFET |
FAQ:
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