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Datos del producto:
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| Lugar de origen: | LOS E.E.U.U. |
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| Nombre de la marca: | Infineon |
| Número de modelo: | IPB018N10N5ATMA1 |
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Pago y Envío Términos:
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| Cantidad de orden mínima: | 50pcs |
| Precio: | RFQ |
| Detalles de empaquetado: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tiempo de entrega: | Inmediatamente |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, fideicomiso, Paypal, visa, MoneyGram |
| Capacidad de la fuente: | RFQ |
MOSFET discreto de los semiconductores IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3
Descripción de producto:
MOSFET
OptiMOSTM5Power-Transistor, 100V
Características:
•Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.
•Canal N, normallevel
•OptimizedforFOMOSS
•Verylowon-resistanceRDS (encendido)
•175°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Tabla de parámetro:
| cualidad del roduct | Valor del atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | SÍ |
| Serie: | IPB018N10 |
| Empaquetado: | Carrete |
| Empaquetado: | Corte la cinta |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
FAQ:
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