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商品の詳細:
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| 起源の場所: | 米国 |
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| ブランド名: | Infineon |
| モデル番号: | IPB018N10N5ATMA1 |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 50pcs |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書、Paypalの査証、MoneyGram |
| 供給の能力: | RFQ |
離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET
製品説明:
MOSFET
OptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V
特徴:
•高周波スイッチとシンクレスの理想
•Nチャンネル,通常のレベル
•FOMOSS に最適化
•RDS (オン)
•175° 協力温度
•Pbフリーリード塗装;RoHS対応
•IEC 61249-2-21 に基づくハロゲンフリー
パラメータ表:
| roduct 属性 | 属性値 |
| 製造者: | インフィニオン |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS について | はい |
| シリーズ: | IPB018N10 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | 切断テープ |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 工場用 梱包量: | 1000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
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