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Detalhes do produto:
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| Lugar de origem: | EUA |
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| Marca: | Infineon |
| Número do modelo: | IPB018N10N5ATMA1 |
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Condições de Pagamento e Envio:
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| Quantidade de ordem mínima: | 50pcs |
| Preço: | RFQ |
| Detalhes da embalagem: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tempo de entrega: | Imediatamente |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, compromisso, Paypal, visto, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | RFQ |
MOSFET discreto dos semicondutores IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3
Descrição do produto:
MOSFET
OptiMOSTM5Power-Transistor, 100V
Características:
•Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.
•N-canal, normallevel
•OptimizedforFOMOSS
•Verylowon-resistanceRDS (sobre)
•175°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Tabela de parâmetro:
| atributo do roduct | Valor de atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| RoHS: | SIM |
| Série: | IPB018N10 |
| Empacotamento: | Carretel |
| Empacotamento: | Corte a fita |
| Tipo: | Infineon Technologies |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 1000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
FAQ:
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