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Dettagli:
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| Luogo di origine: | U.S.A. |
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| Marca: | Infineon |
| Numero di modello: | IPB018N10N5ATMA1 |
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Termini di pagamento e spedizione:
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| Quantità di ordine minimo: | 50pcs |
| Prezzo: | RFQ |
| Imballaggi particolari: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tempi di consegna: | Immediatamente |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, impegno, Paypal, visto, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | RFQ |
Semiconduttori discreti IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET
Descrizione del prodotto:
MOSFET
OptiMOSTM5Power-Transistor, 100V
Caratteristiche:
•Ideale per la commutazione e la sincronizzazione ad alta frequenza.
•N-canale, livello normale
•Ottimizzato per il FOMOSS
•RDS a alta resistenza all'acido solforico (acceso)
•175°Temperatura di collaborazione
•Pb-free leadplating;conforme alla direttiva RoHS
•senza alogeni secondo IEC 61249-2-21
Tabella dei parametri:
| roduct Attributo | Valore attributivo |
| Produttore: | Infineon |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| RoHS: | - Sì. |
| Serie: | IPB018N10 |
| Imballaggio: | Rilo |
| Imballaggio: | Taglio del nastro |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Imballaggio di fabbrica Quantità: | 1000 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
FAQ:
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