IC 통합 회로 EP4SGX70DF29I4G FBGA-780 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열
특징:
다음 목록은 Stratix IV 제품군의 특징을 요약합니다.
■ 최대 48개의 풀 듀플렉스 CDR 기반 트랜시버가 Stratix IV GX 및 GT 장치에서 각각 8.5 Gbps 및 11.3 Gbps까지의 데이터 속도를 지원합니다.
■ PCI Express (PCIe) (PIPE) Gen1 및 Gen2, Gbps 이더넷 (GbE), Serial RapidIO, SONET/SDH, XAUI/HiGig와 같은 인기 있는 일련 프로토콜의 물리적 계층 기능을 지원하는 전용 회로,(OIF) CEI-6G, SD/HD/3G-SDI, 섬유 채널, SFI-5, 인터라켄
■ PHY-MAC 계층, 데이터 링크 계층 및 트랜잭션 계층 기능을 구현하는 임베디드 PCIe 하드 IP 블록을 가진 PCIe 프로토콜 솔루션PCI 익스프레스 사용자 가이드의 IP 컴파일러 참조.
■ 물리 매체에서 주파수 의존적 손실을 보완하기 위해 프로그래밍 가능한 송신자 전 강조 및 수신자 평형 회로
■ 일반적인 물리 매체 부착 (PMA) 전력 소비는 채널당 100mW 3.125Gbps 및 135mW 6.375Gbps
■ 72,600~813,050 대용량의 LE
■ 7,370~33,294 Kb의 향상된 트리매트릭스 메모리, 실제 듀얼 포트 메모리 및 FIFO 버퍼를 구현하기 위해 RAM 블록 크기가 3개로 구성되어 있습니다.
■ 9 x 9 비트, 12 x 12 비트, 18 x 18 비트, 그리고 36 x 36 비트 완전 정밀 곱셈으로 구성 가능한 고속 디지털 신호 처리 (DSP) 블록 최대 600 MHz
■ 각 장치에 최대 16개의 글로벌 클럭 (GCLK), 88개의 지역 클럭 (RCLK), 132개의 주변 클럭 (PCLK)
■ 장치 성능을 극대화하면서 전력을 최소화하는 프로그래밍 가능한 전력 기술
■ 최대 1,120개의 사용자 I/O 핀이 24개의 모듈형 I/O 뱅크에 배치되어 있으며, 다양한 단일 끝 및 디퍼셜 I/O 표준을 지원합니다.
■ DDR, DDR2, DDR3 SDRAM, RLDRAM II, QDR II, QDR II+ SRAM 등 최대 24개의 모듈형 I/O 뱅크에서 고속 외장 메모리 인터페이스 지원
■ 고속 LVDS I/O 지원, 시리즈라이저/디시리얼라이저 (SERDES), 동적 단계 정렬 (DPA) 및 소프트 CDR 회로, 최대 1.6 Gbps 데이터 속도
■ SGMII, GbE, SPI-4 단계 2 (POS-PHY 레벨 4), SFI-4를 포함한 소스 동기 버스 표준 지원1, XSBI, UTOPIA IV, NPSI, 그리고 CSIX-L1
■ 스트라틱스 IVE 장치에 대한 피노트 (Pinout) 는 최소 PCB 영향을 미치며 스트라틱스 III에서 스트라틱스 IV E로 디자인을 마이그레이션 할 수 있도록 설계되었습니다.
매개 변수 테이블:
제품 속성 | 속성 값 |
제조사: | 정보 |
제품 카테고리 | FPGA - 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열 |
어댑티브 로직 모듈 - ALM: | 29040 ALM |
임베디드 메모리: | 7.2 Mbit |
I/O 수: | 372 I/O |
공급 전압 - 분: | 950mV |
공급 전압 - 최대: | 950mV |
최소 작동 온도: | - 40C |
최대 작동 온도: | + 100C |
데이터 속도: | 8.5 Gb/s |
송신기 수: | 24 수신기 |
장착 방식: | SMD/SMT |
패키지 / 케이스: | FBGA-780 |
포장: | 트레이 |
FAQ:
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