IC obwody zintegrowane EP4SGX70DF29I4G FBGA-780 Field Programmable Gate Array

IC obwody zintegrowane EP4SGX70DF29I4G FBGA-780 Field Programmable Gate Array

Cechy:

Poniższa lista podsumowuje cechy rodziny urządzeń Stratix IV:

■ Do 48 nadajników opartych na CDR pełno-dupleksowym w urządzeniach Stratix IV GX i GT obsługujących prędkości danych do 8,5 Gbps i 11,3 Gbps, odpowiednio

■ Dedykowane obwody obsługujące funkcjonalność warstwy fizycznej dla popularnych protokołów seryjnych, takich jak PCI Express (PCIe) (PIPE) Gen1 i Gen2, Gbps Ethernet (GbE), Serial RapidIO, SONET/SDH, XAUI/HiGig,(OIF) CEI-6G, SD/HD/3G-SDI, kanał światłowodowy, SFI-5 i Interlaken

■ Kompletne rozwiązanie protokołu PCIe z wbudowanymi twardymi blokami IP PCIe, które wdrażają funkcjonalność warstwy PHY-MAC, warstwy łącza danych i warstwy transakcjiodwołuje się do kompilatora IP dla PCI Express User Guide.

■ Programowalne obwody premyślania i wyrównania odbiornika nadajnika w celu kompensowania strat zależnych od częstotliwości w medium fizycznym

■ Typowe zużycie mocy PMA (Physical Medium Attachment) wynosi 100 mW przy 3,125 Gbps i 135 mW przy 6,375 Gbps na kanał

■ od 72 600 do 813 050 ekwiwalentów LE na urządzenie

■ 7,370 do 33,294 Kb rozbudowanej pamięci TriMatrix składającej się z trzech rozmiarów bloków pamięci RAM w celu wdrożenia prawdziwej pamięci dwustronnej i buforów FIFO

■ Bloki przetwarzania sygnału cyfrowego (DSP) o dużej prędkości konfigurowalne jako mnożniki pełnej precyzji 9 x 9 bitów, 12 x 12 bitów, 18 x 18 bitów i 36 x 36 bitów z częstotliwością do 600 MHz

■ Do 16 zegarków globalnych (GCLK), 88 zegarków regionalnych (RCLK) i 132 zegarków peryferyjnych (PCLK) na urządzenie

■ Technologia zasilania programowalnego, która minimalizuje moc przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności urządzenia

■ Do 1 120 użytkowników włączających i wyłączających w 24 modułowych bankach I/O, obsługujących szeroki zakres jednoosobowych i różnicowych standardów I/O

■ Wsparcie interfejsów pamięci zewnętrznej o dużej prędkości, w tym DDR, DDR2, DDR3 SDRAM, RLDRAM II, QDR II i QDR II+ SRAM na maksymalnie 24 modułowych bankach I/O

■ Wsparcie szybkich I/O LVDS z serializatorem/deserializatorem (SERDES), dynamicznym wyrównaniem faz (DPA) i układami soft-CDR przy częstotliwościach transmisji danych do 1,6 Gbps

■ Wsparcie dla standardów szynchronicznych dla źródeł, w tym SGMII, GbE, SPI-4 faza 2 (POS-PHY poziom 4), SFI-4.1, XSBI, UTOPIA IV, NPSI i CSIX-L1

■ Wyłączki dla urządzeń Stratix IV E zaprojektowane w celu umożliwienia migracji projektów z Stratix III do Stratix IV E przy minimalnym wpływie na PCB

Tabela parametrów:

Częste pytania:

• Jaki jest MOQ?

Nie ma potrzeby MOQ, a jeśli kupisz więcej, będziesz cieszyć się lepszymi cenami.

• Mogę dostać darmową próbkę?

Możecie poprosić o darmowe próbki.

• Jakie metody płatności akceptujesz?

Zapewniamy: Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPal itp.

• A metody wysyłki?

Dostarczamy:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket itp.

• Jak zagwarantujesz jakość?

Okres gwarancji jakości: 12 miesięcy.

• Czy produkty są testowane przed wysyłką?

Wszystkie produkty zostały przetestowane przed wysyłką, a problemy z jakością były znikome.

• Czy świadczy pan usługi BOM?

Tak, oferujemy usługę zakupu w jednym miejscu. Proszę wysłać nam swoją listę bomb.