IC интегральные схемы MICRF005YM
| Категория: | RF и беспроводные РЧ-приемники |
|---|---|
| Тариф данных (Макс): | 115 Кбит/с |
| Настоящий - получающ: | 10mA |
| Соединитель антенны: | PCB, поверхностный держатель |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | RF и беспроводные РЧ-приемники |
|---|---|
| Тариф данных (Макс): | 115 Кбит/с |
| Настоящий - получающ: | 10mA |
| Соединитель антенны: | PCB, поверхностный держатель |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | RF и беспроводные РЧ-приемники |
|---|---|
| Скорость передачи данных (макс.): | 2 кбит / с |
| Настоящий - получающ: | 2.9mA |
| Соединитель антенны: | PCB, поверхностный держатель |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | RF и беспроводные РЧ-приемники |
|---|---|
| Скорость передачи данных (макс.): | 10 кбит / с |
| Настоящий - получающ: | 2.2mA |
| Соединитель антенны: | PCB, поверхностный держатель |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1В @ 1,1 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2В @ 2mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 200 мА |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Настоящий - выпрямленное среднее (Io) (в диод): | 400mA (DC) |
| Операционная температура - соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |