| Categoría: | RF y inalámbrico Receptores de RF |
|---|---|
| Tarifa de datos (máxima): | 115 Kbps |
| Actual - recibiendo: | 10mA |
| Conector de antena: | PWB, soporte superficial |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | RF y inalámbrico Receptores de RF |
|---|---|
| Velocidad de los datos (máximo): | 2kbps |
| Actual - recibiendo: | 2.9mA |
| Conector de antena: | PWB, soporte superficial |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | RF y inalámbrico Receptores de RF |
|---|---|
| Velocidad de los datos (máximo): | 10kbps |
| Actual - recibiendo: | 2.2mA |
| Conector de antena: | PWB, soporte superficial |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 1V @ 1,1 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 2mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Actual - media rectificada (Io) (por el diodo): | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -55 °C ~ 150 °C |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
