IC วงจรบูรณาการ MICRF005YM
| ประเภท: | เครื่องรับ RF และ RF ไร้สาย |
|---|---|
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 115Kbps |
| ปัจจุบัน - รับ: | 10mA |
| ขั้วต่อสายอากาศ: | PCB, ตัวยึดพื้นผิว |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | เครื่องรับ RF และ RF ไร้สาย |
|---|---|
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 115Kbps |
| ปัจจุบัน - รับ: | 10mA |
| ขั้วต่อสายอากาศ: | PCB, ตัวยึดพื้นผิว |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | เครื่องรับ RF และ RF ไร้สาย |
|---|---|
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 10kbps |
| ปัจจุบัน - รับ: | 3.2mA |
| ขั้วต่อสายอากาศ: | ไม่รวม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 1V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 3.5V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | โหมดพร่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | - |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2.5V @ 1mA |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) การจัดการพลังงาน (PMIC) ผู้ดูแล |
|---|---|
| กําหนดใหม่: | ใช้งานต่ำ |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน-เกณฑ์: | 4.38V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) การจัดการพลังงาน (PMIC) ผู้ดูแล |
|---|---|
| กําหนดใหม่: | ใช้งานต่ำ |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน-เกณฑ์: | 2.63V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) การจัดการพลังงาน (PMIC) ผู้ดูแล |
|---|---|
| กําหนดใหม่: | สูงแรง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน-เกณฑ์: | 3.075V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 15 μA @ 300 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | สตั๊ดเมาท์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.4 โวลต์ @ 20 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 75 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 990 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.55 โวลต์ @ 1 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 1 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.6 โวลต์ @ 3 ก |
